RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 6, страницы 986–989 (Mi phts1783)

Отрицательная проводимость, обусловленная колебаниями границы статического домена

М. С. Каган, Е. Г. Ландсберг, И. В. Чернышов

Институт радиотехники и электроники АН СССР

Аннотация: С помощью зондовой методики исследованы колебания границы статического домена рекомбинационного происхождения в компенсированном германии. Показано, что именно эти колебания приводят к отрицательной динамической проводимости таких кристаллов.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 25.10.1983
Принята в печать: 07.12.1983



© МИАН, 2026