RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 5, страницы 956–958 (Mi phts1775)

Краткие сообщения

Влияние поверхности на радиационное дефектообразование в кремнии при высокотемпературном протонном облучении

В. В. Козловский, В. Н. Ломасов


УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 22.07.1983
Принята в печать: 05.01.1984



© МИАН, 2026