ВАХ контакта металл–аморфный кремний для экспоненциального распределения плотности локализованных состояний

В. В. Ильченко, В. И. Стриха

Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко

Аннотация: Аналитически рассчитана ВАХ контакта металл–$\alpha\text{-Si\langle\text{H}\rangle$} для экспоненциального распределения плотности локализованных состояний в $\alpha\text{-Si\langle\text{H}\rangle$}, получены выражения для профиля потенциального барьера в контакте. В общей модели контакта с промежуточным слоем показано, что выпрямляющие свойства диодов с барьером Шоттки на основе $\alpha\text{-Si\langle\text{H}\rangle$} сильно зависят от параметров, характеризующих распределение плотности локализованных состояний в $\alpha\text{-Si\langle\text{H}\rangle$} и толщины промежуточного слоя.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 18.07.1983
Принята в печать: 20.12.1983