Исследование фотонно-диффузионного переноса носителей заряда в прямозонных полупроводниках

В. С. Юферев, М. П. Проскура

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: В предположении, что спектр излучения описывается моделью Шокли–Ван Русбрека, а коэффициенты диффузии и безызлучательное время жизни являются постоянными, получены приближенные аналитические формулы, описывающие процессы фотонно-диффузионного переноса носителей заряда в $p^{+$-} и $n^{0$-облас}тях прямозонных полупроводников.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 26.10.1983
Принята в печать: 15.12.1983