RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1984
, том 18,
выпуск 4,
страницы
734–736
(Mi phts1719)
Краткие сообщения
Исследование глубоких уровней в InAs с помощью емкостных измерений МДП структур
И. А. Фомин
,
Л. В. Лебедева
,
Н. М. Анненко
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
02.08.1983
Принята в печать:
14.11.1983
Полный текст:
PDF файл (428 kB)
©
МИАН
, 2026