RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 734–736 (Mi phts1719)

Краткие сообщения

Исследование глубоких уровней в InAs с помощью емкостных измерений МДП структур

И. А. Фомин, Л. В. Лебедева, Н. М. Анненко


УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 02.08.1983
Принята в печать: 14.11.1983



© МИАН, 2026