Связанный экситон в ионных полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны

Ш. Н. Гифейсман, В. П. Коропчану

Кишиневский государственный университет им. В. И. Ленина

Аннотация: Прямым вариационным методом рассчитывается энергия основного состояния экситона, связанного на ионизированном акцепторе или ионизированном доноре в ионных полупроводниках типа А$^{\text{II}}$B$^\text{VI}{}$ и А$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ с вырожденным краем валентной зоны. Показано, что для оценки энергии основного состояния экситона, локализованного на ионизированном акцепторе, можно ограничиться рассмотрением невырожденного случая, если в качестве эффективной массы дырки использовать ее «усредненное» значение, заимствованное из задачи о мелких акцепторах. Найден качественно новый критерий существования экситонного комплекса в ионных полупроводниках, согласно которому экситонные комплексы могут образовываться лишь на однозарядных примесях. Вычисленные значения энергии диссоциации экситонных комплексов сопоставляются с экспериментом.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 25.03.1983
Принята в печать: 22.11.1983