RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 99–103 (Mi phts17)

Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в $n$-Ge$\langle$Sb$\rangle$

Е. М. Гершензон, Л. Б. Литвак-Горская, Г. Я. Луговая, Е. З. Шапиро

Московский государственный педагогический институт им. В. И. Ленина

Аннотация: В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в $n$-Ge с концентрацией доноров ${N_{d}\simeq2.8\cdot10^{16}\div1.1\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2$-$10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции $\tau_{\varphi}$ определяется временем электрон-фононного взаимодействия $\tau_{\text{eph}}$.

Поступила в редакцию: 06.07.1985
Принята в печать: 23.07.1985



© МИАН, 2026