RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 631–634 (Mi phts1695)

Фотолюминесценции пленок тройных твердых растворов Pb$_{1-x}$Cd$_{x}$S

С. И. Золотов, Н. Б. Трофимова, А. Э. Юнович

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Обнаружена спонтанная и вынужденная люминесценция поликристаллических пленок Pb$_{1-x}$Cd$_{x}$S (${x<0.06}$) в области ${\hbar\omega=0.4\div0.6}$ эВ при ${60\div320}$ K. Возбуждение неодимовым лазером позволяет наблюдать вынужденное излучение с пороговой плотностью возбуждения ${\sim10^{5}\,\text{Вт}/\text{см}^{2}}$ при 300 K. Положение $\hbar\omega_{m}$ выше ширины запрещенной зоны $E_{g}$ на величину порядка $kT$ и соответствует зависимости коэффициента поглощения ${\alpha\sim(\hbar\omega-E_{g})^{1/2}}$, т. е. прямым разрешенным переходам. Содержание Cd, определенное из зависимости $E_{g}(x, T)$, меньше содержания, определенного из технологии роста по рентгеновскому микроанализу и из оже-спектроскопии; по-видимому, не весь Cd входит в узлы решетки при росте пленок.
Зависимость $\hbar\omega(T)$ описывается коэффициентом $d(\hbar\omega_{m})/dT$, равным ${\sim0.4}$ мэВ/К. В интервале ${90\div110}$ K. линия излучения может совпадать с полосой поглощения подложки слюды — вблизи 2.69 мкм. В этом случае наблюдается резкое падение интенсивности излучения, свидетельствующее о влиянии подложки на дифракционные потери в резонаторе для вынужденного излучения.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 06.10.1983
Принята в печать: 14.11.1983



© МИАН, 2026