RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 624–627 (Mi phts1693)

Исследование электрических свойств Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te с примесью индия в области фазового перехода

А. И. Лебедев, Х. А. Абдуллин

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследованы изменения в рассеянии и температурной зависимости коэффициента Холла в Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te$\langle\text{In}\rangle$ (${x=0.5{-}12}$ ат%), обусловленные сегнетоэлектрическим фазовым переходом (ФП). Обнаружено существенное понижение температуры ФП $T_{c}$ при легировании индием, объясняемое появлением замороженных поляризованных дефектов. Показано, что в температурной зависимости положения уровня Ферми при $T_{c}$ появляется излом, вызванный перестройкой энергетического спектра Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te при ФП.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 02.08.1983
Принята в печать: 05.11.1983



© МИАН, 2026