RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 696–700 (Mi phts163)

Усиление поверхностных волн в полупроводниках со сверхрешеткой

В. Ф. Дряхлушин, Ю. А. Романов

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Исследовано усиление поверхностных электромагнитных волн в структуре, содержащей полупроводник со сверхрешеткой (CP), внешними постоянными и высокочастотными электрическими полями. Механизм усиления обусловлен наличием в CP областей отрицательной динамической проводимости. Рассмотрены случаи, когда волна распространяется вдоль границ раздела CP–полупроводник и CP–диэлектрик. Найдены области усиления, дисперсионные кривые и инкременты возбуждаемых волн.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 09.07.1985
Принята в печать: 01.11.1985



© МИАН, 2026