Аннотация:
Исследуется распределение электронов по энергиям
$\varepsilon$ при внутризонном поглощении монохроматического света
в полупроводнике. Энергия кванта света слегка превышает целое кратное энергии
оптического фонона $\hbar\omega_{0}$. Температура решетки предполагается
низкой. В приближении «черной стенки» на границе активной области
получено выражение для функции распределения в интервале
${0<\varepsilon\leqslant\hbar\omega_{0}}$. Определены условия, при которых
формируется инверсное распределение.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 11.05.1985 Принята в печать: 01.11.1985