RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 687–691 (Mi phts161)

Энергетическое распределение электронов при внутризонном поглощении монохроматического излучения

С. Е. Кумеков


Аннотация: Исследуется распределение электронов по энергиям $\varepsilon$ при внутризонном поглощении монохроматического света в полупроводнике. Энергия кванта света слегка превышает целое кратное энергии оптического фонона $\hbar\omega_{0}$. Температура решетки предполагается низкой. В приближении «черной стенки» на границе активной области получено выражение для функции распределения в интервале ${0<\varepsilon\leqslant\hbar\omega_{0}}$. Определены условия, при которых формируется инверсное распределение.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 11.05.1985
Принята в печать: 01.11.1985



© МИАН, 2026