К вопросу о зарядовом состоянии примеси марганца в GaAs$\langle$Mn$\rangle$

Д. Г. Андрианов, Ю. А. Григорьев, С. О. Климонский, А. С. Савельев, С. М. Якубеня

Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"

Аннотация: Приведены результаты комплексного исследования поведения примеси марганца в GaAs$\langle$Мn$\rangle$ и GaAs$\langle$Mn + Te$\rangle$. Показано, что магнитная восприимчивость образцов GaAs$\langle$Mn$\rangle$ и GaAs$\langle$Mn + Te$\rangle$ имеет различную температурную зависимость. Это обусловлено тем, что в кристаллах GaAs$\langle$Mn + Te$\rangle$ марганец находится в зарядовом состоянии Mn$^{+2}$, а в GaAs$\langle$Mn$\rangle$ — в зарядовом состоянии Mn$^{+3}$. Это подтверждается результатами исследования ЭПР и эффекта Холла.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 05.08.1983
Принята в печать: 29.08.1983