Аннотация:
Аналитически и с помощью моделирования на ЭВМ исследуется зависимость от электрического поля проводимости поликристаллических полупроводников с большим разбросом высот межкристаллических барьеров. Показано, что в широком диапазоне полей геометрия токовых путей не зависит от поля. Полученная в этом приближении формула подтверждает положение о пропорциональности степени неомичности поликристалла величине разброса высот барьеров. Показано хорошее согласие между теорией, результатами моделирования и экспериментальными ВАХ поликристаллического ZnO.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 04.08.1983 Принята в печать: 29.08.1983