Фотоэлектрические свойства кристаллического и стеклообразного GeSe$_{2}$

Д. И. Блецкан, Н. В. Полажинец, Д. В. Чепур

Ужгородский государственный университет

Аннотация: Приводятся результаты сравнительного исследования электропроводности на постоянном токе и стационарных характеристик фотопроводимости кристаллического и стеклообразного GeSe$_{2}$. Выявлена сильная анизотропия электропроводности слоистых кристаллов GeSe$_{2}$, зависящая еще и от метода их получения. Предполагается, что главной причиной, приводящей к увеличению анизотропии электропроводности в кристаллах, полученных из расплава, являются дефекты упаковки. Показано, что аналогично другим стеклообразователям, например As$_{2}$S$_{3}$ и As$_{2}$Se$_{3}$, переход кристалл–стекло в случае GeSe$_{2}$ также сопровождается уменьшением проводимости.
Установлено, что аналогично фото люминесцентным характеристикам фотоэлектрические свойства упорядоченной и разупорядоченной фаз диселенида германия являются также очень схожими. На основании этого делается вывод, что процессы прилипания и рекомбинации в GeSe$_{2}$ определяются прежде всего химической природой центров и слабо зависят от наличия дальнего порядка.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 20.05.1983
Принята в печать: 29.08.1983