Фотоотклик компенсированного полупроводника при локальном оптическом возбуждении

М. С. Каган, Е. Г. Ландсберг, И. В. Чернышов

Институт радиотехники и электроники АН СССР

Аннотация: Изучен фотоотклик компенсированного германия в сильных электрических полях при локальном модулированном оптическом возбуждении в зависимости от частоты, напряжения и проводимости кристалла. Показано, что поведение фотоотклика определяется особенностями импеданса кристаллов. При больших проводимостях обнаружены осцилляции в частотной зависимости импеданса, обусловленные возбуждением волн перезарядки ловушек за счет отрицательной дифференциальной проводимости.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 14.04.1983
Принята в печать: 21.07.1983