RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 1, страницы 142–146 (Mi phts1567)

О механизме полевого гашения фототока в поликристаллических слоях CdS : Сu

В. В. Сердюк, Л. Е. Стыс, А. Е. Турецкий, Г. Г. Чемересюк, А. М. Шмилевич

Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова

Аннотация: Работа посвящена изучению вольтамперных характеристик (ВАХ) фототока с отрицательной дифференциальной проводимостью в пленках сульфида кадмия, легированных медью. Показано, что наблюдаемые особенности ВАХ фототока обусловлены наличием рекомбинационных барьеров, образованных скоплением центров медленной рекомбинации в межкристаллитных прослойках.
Построена теоретическая модель, объясняющая специфические закономерности токопереноса, проявляющиеся в неоднородных структурах. Проведенные оценки хорошо согласуются с экспериментальными результатами.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 04.07.1983
Принята в печать: 29.08.1983



© МИАН, 2026