Влияние разогрева электронного газа на дефектообразование в поверхностных областях полупроводников

В. Г. Левандовский, С. В. Панфилова, В. П. Семик, Г. Е. Чайка

Одесский электротехнический институт связи им. А. С. Попова

Аннотация: Исследуется связь между дефектообразованием и разогревом электронного газа. Показано, что изменение числа возникающих дефектов приводит к изменению электрического заряда и поля в приповерхностной области. Это дает возможность в определенных пределах регулировать профили концентрации дефектов. При прекращении действия поля дефекты такого рода оказываются замороженными, что может быть использовано для техническое реализации приборов с определенным профилем распределения заряда в поверхностной области.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 30.03.1983
Принята в печать: 29.08.1983