Особенности ФЭМ эффекта и свойства рекомбинационных центров в облученных $\alpha$-частицами монокристаллах германия

В. С. Бабиченко, Л. И. Кикоин, С. Д. Лазарев, А. Е. Ржанов, В. И. Филиппов


Аннотация: Приведены результаты исследования пространственного распределения дефектов, возникающих в кристаллах Ge при облучении $\alpha$-частицами (40 МэВ). Показано, что распределение дефектов, играющих роль рекомбинационных центров, оказывает определяющее влияние на диффузионно-рекомбинационные процессы в полупроводнике. Определено сечение захвата носителей на рекомбинационные центры (${\sigma\sim10^{-15}\,\text{см}^{2}}$). Введено представление о рекомбинационной стенке, возникающей в области максимума концентрации радиационных дефектов. Проведено сравнение экспериментальных данных с развитыми теоретическими представлениями. Показано, что исследование ФЭМ эффекта может дать информацию как о виде пространственного распределения радиационных дефектов, так и о рекомбинационных параметрах облученных полупроводников.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 27.07.1983
Принята в печать: 28.07.1983