Исследование радиационных дефектов в кремнии, облученном нейтронами

Л. Н. Александров, М. И. Зотов, В. Ф. Стась, Б. П. Сурин

Институт физики полупроводников СО АН СССР, г. Новосибирск

Аннотация: Проведено сопоставление изменений электрофизических параметров облученного нейтронами кремния и свойств дефектов структуры, фиксируемых методом внутреннего трения (ВТ). В процессе изохронного отжига кристаллов, облученных дозами ${\Phi=10^{14}\div10^{15}\,\text{см}^{-2}}$, происходила неоднократная смена типа проводимости. Концентрация дырок растет при отжига в интервалах ${400\div440}$ и ${700\div770}$ K, а концентрация электронов увеличивается около 600 и 900 K.
Обнаружены (${\Phi=10^{17}\div10^{18}\,\text{см}^{-2}}$) четыре максимума ВТ при температурах 410, 470, 540 и 620 K. Частотный фактор переориентации дефектов ${10^{13}\,\text{с}^{-1}}$. Энергии активации, переориентации и температуры отжига дефектов равны: А — ${0.72\pm0.05}$ эВ, 430 K; Б — ${0.80\pm0.05}$ эВ, 500 K; В — ${0.90\pm0.05}$ эВ, 600 K; Г — ${1.3\pm0.2}$ эВ, 750 K. Сделан вывод о том, что пик В вызывается переориентацией собственного междоузельного атома кремния, пик Г определяется дефектами, включающими кислород.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 14.07.1983
Принята в печать: 19.07.1983