Глубокие центры в полупроводниках

В. Ф. Мастеров

Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина

Аннотация: Рассмотрены теоретические методы расчета и результаты экспериментальных исследований электронной структуры глубоких центров, создаваемых атомами переходных групп в полупроводниках. Из теоретических методов основное внимание уделяется зонному подходу, основанному на использовании гамильтониана Андерсона, локальному методу с использованием рекурсионной процедуры и квазизонному методу кристаллического поля.
Из экспериментальных результатов анализируются данные, полученные при исследовании центров, создаваемых переходными и редкоземельными атомами, методами оптической и резонансной спектроскопии. Обсуждаются вопросы возможных зарядовых состояний глубоких центров, локализации их волновых функций, возможные оптические переходы в основное и возбужденное состояния центра, наличие искажений локальной структурыцентров за счет эффекта Яна–Теллера.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 20.05.1983
Принята в печать: 03.07.1983