RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 12, страницы 2163–2167 (Mi phts1520)

Новые возможности релаксационной спектроскопии глубоких уровней

В. Г. Приходько


Аннотация: В рамках моделирования на ЭВМ исследуются возможности релаксационной спектроскопии глубоких уровней (СГУ) по энергетическому разрешению (ЭР). Показано, что в приближении постоянного сечения захвата и постоянной плотности пограничных состояний ЭР СГУ ${\simeq2.5 kT}$, а не $kT\ln 2$, как ранее считалось. Это приближение аналогично приближению постоянной плотности в квазиравновесных методах спектроскопии, где учет температурной зависимости функции Ферми в квазиравновесных методах позволил в $\simeq30$ раз увеличить ЭР. Учет зависимости весовой функции уравнения релаксационной спектроскопии от энергии при известной зависимости сечения захвата от энергии позволяет существенно увеличить ЭР в случае СГУ. Последнее зависит как от ошибок эксперимента, так и от ошибок при обработке данных. Продемонстрировано $\simeq20$-кратное увеличение ЭР путем обработки данных методом регуляризации Тихонова. Рассмотренный подход к обработке данных может быть применен и к другим методам релаксационной спектроскопии, например к методу термостимулированного разряда конденсатора.



© МИАН, 2026