RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 11, страницы 2052–2054 (Mi phts1490)

Пьезо- и холл-эффекты в $p$-Si$\langle\text{Mn}\rangle$ при одноосной упругой деформации

А. Абдураимов, М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, А. А. Турсунов


Аннотация: Исследованы экспериментальные зависимости проводимости, постоянной Холла и подвижности в образцах $p$-Si$\langle\text{Mn}\rangle$ с различными степенями компенсации от величины сжатия. Методом численного решения уравнения нейтральности с учетом перемещения потолка зон легких и тяжелых дырок, дна зоны проводимости и глубокого уровня при сжатии показано, что пьезоэффект в компенсированных образцах связан с ростом концентрации дырок из-за перемещения глубокого уровня к валентной зоне.



© МИАН, 2026