Особенности люминесценции пластически деформированных гетероструктур InAsSbP/InAs

Н. П. Есина, Н. В. Зотова, Б. А. Матвеев, Л. Д. Неуймина, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин


Аннотация: Проведены исследования люминесцентных свойств пластически деформированных структур InAsSbP/InAs. Выращивание слоев твердого раствора производилось в области температур, когда пластичность подложки достаточно высока. При этом релаксация напряжений, вызванных несоответствием параметров решетки слоя и подложки, происходит за счет образования дислокаций в подложке гетероструктуры и сопровождается ее изгибом. Слои твердого раствора характеризуются низкой плотностью дислокаций (${\sim10^{4}\div10^{5}\,\text{см}^{-2}}$) и малой долей остаточных упругих напряжений.
Форма спектров фотолюминесценции (ФЛ) $n$-InAsSbP свидетельствует о прямых переходах из-под уровня Ферми на верх валентной зоны и хорошо описывается теорией, учитывающей термализацию носителей заряда и отсутствие заметных флуктуаций потенциала, вызванных неоднородностью состава.
Показано, что интенсивность ФЛ остается постоянной по всей толщине эпислоя, за исключением узкой области вблизи гетерограницы.
Квантовый выход ФЛ толстых слоев велик, сравним с квантовым выходом $n$-InAs и не зависит ни от рассогласования параметров решеток на гетерогранице, ни от плотности дислокаций в эпислое в исследуемом интервале этих величин.