RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 11, страницы 1982–1985 (Mi phts1476)

О поведении кислорода в кремнии, легированном изовалентными примесями

Ю. М. Бабицкий, П. М. Гринштейн, М. А. Ильин, В. П. Кузнецов, М. Г. Мильвидский


Аннотация: Исследована кинетика распада пересыщенного твердого раствора кислорода и генерации высокотемпературных доноров в монокристаллах кремния, легированных германием и оловом в процессе выращивания методом Чохральского. Обнаружено, что введение в кристалл германия и олова замедляет как кинетику преципитации кислорода, так и кинетику образования высокотемпературных доноров. Указанные экспериментальные факты объясняются влиянием упругих напряжений, создаваемых атомами легирующих примесей германия и олова в кристаллической решетке кремния.



© МИАН, 2026