Инфракрасное поглощение свободными электронами в $n$-GaSb, легированном теллуром

М. А. Ильин, А. В. Пахомов


Аннотация: Экспериментально и теоретически изучено поглощение свободными электронами в $n$-GaSb$\langle$Te$\rangle$ в диапазоне концентраций электронов ${n=3\cdot 10^{17}\div1\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ и температур ${80\div300}$ K. Показано, что основной вклад в поглощение дают процессы, сопровождающиеся рассеянием электронов $\Gamma$-долины ионизованными примесями при 80 K и электронов $L$-долины колебаниями кристаллической решетки при 300 K. Из условия наилучшего согласия экспериментальных и расчетных спектров поглощения оценено значение степени компенсации $n$-GaSb$\langle$Te$\rangle$ ${\theta=0.55}$ при ${n\sim10^{18}\,\text{см}^{-3}}$.