Влияние свойств области пространственного заряда полупроводника на вторичную электронную эмиссию

С. Г. Ершов, В. В. Кораблев

Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина

Аннотация: Сообщается об экспериментальном исследовании влияния подсветки на коэффициент вторичной электронной эмиссии с арсенида галлия. Эффект наблюдается в условиях, когда энергия квантов света больше ширины запрещенной зоны полупроводника, но недостаточна для внешнего фотоэффекта. Предполагается, что $\sigma$ изменяется вследствие поверхностного фотонапряжения, изменяющего потенциальный барьер на границе полупроводник–вакуум. Показана возможность использования этого эффекта для определения профиля потенциала в области пространственного заряда полупроводников.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 10.07.1985
Принята в печать: 06.09.1985