Низкая скорость поверхностной рекомбинации (${S =10^{4}}$ см/с) в эпитаксиальном $n$-GaAs

В. М. Андреев, А. М. Аллахвердиев, В. Д. Румянцев, О. М. Федорова, Ш. Ш. Шамухамедов


Аннотация: Показано, что для эпитаксиальных слоев $n$-GaAs [${N_{D}\sim10^{17}\,\text{см}^{-3}}$, ориентация (111) В], выращивание которых осуществлялось из галлиевого расплава вплоть до комнатной температуры, а поверхность не подвергалась химической обработке, характерны весьма низкие значения скорости поверхностной рекомбинации (${S\sim10^{4}}$ см/с). Значения $S$ рассчитывались на основании сравнения интенсивностей фотолюминесценции образцов $n$-GaAs с открытой поверхностью и поверхностью, защищенной слоем Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As (${x\sim0.85}$).