RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 10, страницы 1763–1767 (Mi phts1419)

Поглощение квантов с энергией, меньшей оптической энергии ионизации примеси в фосфиде индия, легированном марганцем

В. А. Курбатов, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. И. Райхштейн, В. В. Каратаев, А. Я. Нашельский, С. В. Якобсон


Аннотация: Исследованы особенности поглощения в области примесной полосы для кристаллов фосфида индия, легированных марганцем. Показано, что при энергиях кванта, меньших оптической энергии ионизации примеси (0.26 эВ), имеется заметное поглощение, носящее урбаховский характер для энергий ${h\nu< 0.2}$ эВ и гауссов характер для ${0.2\leqslant h\nu\leqslant 0.26}$ эВ. Закономерности поглощения и фотопроводимости в урбаховской области хорошо описываются на основе модели, учитывающей электрон-фононное взаимодействие. Хорошее согласие с экспериментом получается в случае, если минимуму адиабатического потенциала в нижнем электронном состоянии соответствует максимум в верхнем, а частоты соответствующих колебательных мод различны, причем с основным состоянием связана $TA$-мода.



© МИАН, 2026