Примесная фотопроводимость в твердом растворе Pb$_{1-x-y}$Ge$_{x}$Sn$_{y}$Te, легированном индием

Х. А. Абдуллин, А. И. Лебедев


Аннотация: Исследованы спектры примесной фотопроводимости (ФП) и электрические свойства высокоомных образцов твердого раствора Pb$_{1-x-y}$Ge$_{x}$Sn$_{y}$Te (${x\leqslant0.16}$, ${y\leqslant0.25}$), легированного индием (0.17$-$2 ат%). Изучено влияние состава ($x, y$), концентрации индия и отклонения от стехиометрии на положение полос примесной ФП и уровня Ферми. Энергетическое положение края примесной ФП заметно превышает расстояние между уровнем Ферми и краем зоны проводимости. В спектрах ФП обнаружена узкая полоса, положение которой зависит от величины ромбоэдрического искажения решетки в Pb$_{1-x-y}$Ge$_{x}$Sn$_{y}$Te$\langle$In$\rangle$. Предложено качественное объяснение сложной структуры примесной ФП, включающей полосы как положительной, так и отрицательной ФП.