Аннотация:
На основе экспериментального изучения специфики
формирования внутреннего фотоэффекта, возбуждаемого стоячей рентгеновской
волной, предложены конкретные способы управления экстинкционным эффектом для
данного вторичного процесса. Показан прямой путь измерения кривых фотоэдс
с фазочувствительной частью, не искаженной экстинкцией для полупроводников
с малой диффузионной длиной. Кроме того, впервые показано, что эффект
экстинкции, обычно играющий негативную роль при измерении фотоэдс, может быть
эффективно использован для определения толщин слоев, образующих $p{-}n$-переход,
диффузионных длин неосновных носителей и изменения размеров области
пространственного заряда при подаче внешнего напряжения.