RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 9, страницы 1597–1604 (Mi phts1381)

Проблема экстинкции при изучении внутреннего фотоэффекта, возбуждаемого стоячей рентгеновской волной в полупроводниковых барьерных структурах

С. И. Желудева, М. В. Ковальчук


Аннотация: На основе экспериментального изучения специфики формирования внутреннего фотоэффекта, возбуждаемого стоячей рентгеновской волной, предложены конкретные способы управления экстинкционным эффектом для данного вторичного процесса. Показан прямой путь измерения кривых фотоэдс с фазочувствительной частью, не искаженной экстинкцией для полупроводников с малой диффузионной длиной. Кроме того, впервые показано, что эффект экстинкции, обычно играющий негативную роль при измерении фотоэдс, может быть эффективно использован для определения толщин слоев, образующих $p{-}n$-переход, диффузионных длин неосновных носителей и изменения размеров области пространственного заряда при подаче внешнего напряжения.



© МИАН, 2026