О природе формирования неоднородности в InSb

Н. С. Рытова, Е. С. Юрова, М. Н. Кеворков, А. Н. Попков, Т. И. Громова, Е. С. Фридштанд


Аннотация: Рассмотрен механизм формирования неоднородности, обусловленной образованием электрически активных комплексов легирующей примеси с собственными дефектами. Показано, что в этом случае неоднородность может зависеть от концентрации примеси и режимов термообработки. Экспериментальные результаты по исследованию InSb, легированного Те, объясняются на основе предложенной модели.