Свойства арсенида галлия, легированного Ge и Se облучением в тепловой колонне ядерного реактора

Н. Г. Колин, В. Б. Освенский, В. В. Токаревский, В. А. Харченко, С. М. Иевлев


Аннотация: Исследовались зависимости электрофизических свойств, а также периода решетки и плотности ядерно-легированного арсенида галлия (ЯЛАГ) от флюенса реакторных нейтронов и режима последующей термообработки.
Показано, что облучение арсенида галлия нейтронами с различными энергетическими спектрами ${\varphi_{\text{т}}/\varphi_{\text{б}}=10}$, 180, 1000, где $\varphi_{\text{т}}$ и $\varphi_{\text{б}}$ — плотности потока тепловых и быстрых нейтронов, по-разному влияет на свойства материала. Основной вклад в дефектообразование вносят быстрые нейтроны. Концентрация компенсирующих акцепторных дефектов, образующихся при облучении GaAs в тепловой колонне, практически равна концентрации вводимых донорных примесей. Радиационные дефекты акцепторного типа отжигаются в материале не полностью даже при ${900\div1000^{\circ}}$С, что является причиной относительно высокой степени компенсации ЯЛАГ.
Полученные экспериментальные результаты по отжигу GaAs, облученного в тепловой колонне, свидетельствуют о существовании трех стадий отжига в интервале температур: I — ${100\div300}$, II — ${300\div500}$, III — ${500\div900^{\circ}}$С.