Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью

И. С. Тарасов, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, А. В. Чудинов


Аннотация: Установлено, что в лазерах на основе РО InGaAsP/InP ДГ структур с тонкими активными областями (${<0.1}$ мкм) температурная зависимость пороговой плотности тока резко усиливается при уменьшении длины резонатора.
Сопоставление с расчетом показывает, что данный эффект может быть обусловлен тем, что в таких лазерах при уменьшении их длины и возрастании потерь на выход имеет место резкое увеличение пороговой концентрации неравновесных носителей и, следовательно, компоненты тока, обусловленной оже-рекомбинацией.