RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 8, страницы 1420–1423 (Mi phts1348)

Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными областями

В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, А. В. Чудинов


Аннотация: При оптическом возбуждении исследованы зависимости от длины резонатора пороговых характеристик InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda\simeq1.3}$ мкм) раздельного ограничения с супертонкими активными областями. В таких лазерах обнаружена аномально сильная по сравнению с лазерами с «толстыми» активными областями зависимость пороговых плотностей тока и положения максимума полосы генерации от длины резонатора. Эти особенности пороговых характеристик InGaAsP/InP-лазеров с супертонкими активными областями сопоставлены с расчетами и объясняются цепным процессом возрастания пороговой концентрации неравновесных носителей, который вызывается ростом потерь на выход и усиливается за счет оже-рекомбинации в активной области лазеров.



© МИАН, 2026