Спектр краевого поглощения CdSe при высоких уровнях возбуждения

М. П. Лисица, Н. Р. Кулиш, Н. И. Малыш, Б. М. Булах


Аннотация: Исследовано влияние интенсивности лазерного излучения на край собственного поглощения селенида кадмия в температурном интервале 220$-$413 K в поляризациях ${E\parallel C}$ и ${E\perp C}$. Как при низких, так и при высоких интенсивностях частотная зависимость коэффициента поглощения экспоненциальна. Установлено, что краевое поглощение формируется динамическими (вызванными тепловыми колебаниями) и статистическими (обусловленными наличием в объеме кристалла заряженных дефектов) искажениями решетки. При переходе от низких интенсивностей к высоким наблюдается уменьшение статистического беспорядка. Оценена величина напряженности электрического поля, создаваемого статистическими флуктуациями потенциального рельефа, и установлен ее температурный ход.