Емкостные измерения профиля распределения и поверхностной концентрации глубокой примеси в тонких легированных слоях

Е. В. Астрова, А. А. Лебедев


Аннотация: Для тонких слоев полупроводника, легированного глубокой примесью, предлагаются методы определения общего количества электрически активной примеси на единицу поверхности и профиля ее концентрации, не требующие коррекции, связанной с переходным слоем. Применение методов иллюстрируется на примере диффузионных слоев Тl и Se в кремнии.