Синтетические алмазы в электронике (Обзор)

В. К. Баженов, И. М. Викулин, А. Г. Гонтарь


Аннотация: Рассматривается современное состояние теоретических и экспериментальных исследований полупроводникового алмаза в связи с перспективами его применения в электронике. Энергетические спектры электронов и фононов в алмазе обсуждаются в сравнении со спектрами классических полупроводников Si и Ge. Описаны особенности основного состояния алмаза, его колебательного спектра и зонной структуры. Приведены новейшие данные об электронных состояниях примесей бора и азота, вакансии, других примесей и дефектов структуры. Описаны результаты изучения электрических свойств синтетических алмазов, их спектров фотопроводимости и люминесценции. Показано, что синтетические полупроводниковые алмазы пригодны для изготовления выпрямительных диодов, диодов с отрицательным сопротивлением, лавинно-пролетных диодов, фотоприемников, светодиодов, транзисторов, детекторов ядерных излучений и терморезисторов.