Аннотация:
Исследован сильно легированный фосфором аморфный кремний
вблизи перехода металл–диэлектрик. Показано, что для описания проводимости
$\alpha$-Si$\langle$P$^{+\rangle$} в области низких температур
необходимо учитывать электрон-электронное взаимодействие. Определены
значения радиуса локализации и диэлектрической проницаемости
$\alpha$-Si$\langle$P$^{+\rangle$}.