RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 7, страницы 1240–1244 (Mi phts1303)

Низкотемпературная проводимость сильно легированного аморфного кремния

А. Н. Алешин, А. В. Двуреченский, А. Н. Ионов, И. А. Рязанцев, И. С. Шлимак


Аннотация: Исследован сильно легированный фосфором аморфный кремний вблизи перехода металл–диэлектрик. Показано, что для описания проводимости $\alpha$-Si$\langle$P$^{+\rangle$} в области низких температур необходимо учитывать электрон-электронное взаимодействие. Определены значения радиуса локализации и диэлектрической проницаемости $\alpha$-Si$\langle$P$^{+\rangle$}.



© МИАН, 2026