Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с активными областями ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  см

Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Б. Я. Бер, Л. С. Вавилова, В. В. Красовский, А. В. Чудинов


Аннотация: Исследованы оже-профили состава InGaAsP/GaAs- и InGaAsP/InP-гетероструктур с супертонкими активными областями, выращенных модифицированным методом жидкостной эпитаксии. Для определения толщины активной области данных структур использован также экспрессный люминесцентный метод, результаты которого оказались в хорошем количественном соответствии с данными оже-спектрометрии. Показано, что модифицированная технология жидкостной эпитаксии в сдвиговой кассете позволяет получать для гетероструктур в системе In$-$Ga$-$As$-$Р толщины активных слоев порядка сотен ангстрем, а протяженность переходных областей на гетерограницах при этом не превышает 100 Å.