Поверхностно-барьерные структуры на основе твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

А. Я. Вуль, П. Г. Петросян


Аннотация: Изучены вольтамперные (ВАХ) и вольтфарадные (ВФХ) характеристики поверхностно- барьерных структур на основе твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$, отличающихся толщиной диэлектрического слоя между металлом и полупроводником.
Показано, что наличие промежуточного диэлектрического слоя приводит к существенному уменьшению прямого и обратного токов, резкому возрастанию коэффициента неидеальности на прямых ветвях ВАХ, при этом механизм токопрохождения определяется ТОПЗ.
В структурах с толщиной диэлектрического слоя около 1500 Å наблюдается эффект переключения проводимости: при определенной величине обратного напряжения структура из исходного слабопроводящего состояния переходит в высокопроводящее состояние. Обсуждаются модели, объясняющие этот эффект.