Аннотация:
Экспериментально изучены структурные перестройки
в кристаллах кремния, предварительно облученных ионами аргона, происходящие
при ${T\simeq300}$ K под действием ионов гелия и бора. Установлено, что при
бомбардировке легкими ионами параллельно идут два процесса — упорядочение
и разупорядочение решетки. Скорость каждого из этих процессов зависит от дозы
ионов аргона и степени предварительного разупорядочения, меняясь по глубине
в неоднородно нарушенном кристалле. Зависимость дефектности кристалла от дозы
легких ионов немонотонна: вначале преобладает ионно-стимулированное
упорядочение, а при больших дозах — разупорядочение решетки. Оценка
минимальной средней энергии, расходуемой на восстановление порядка в расчете
на один узел, дает 4 эВ. Обсуждены возможные причины отличия этого значения
от пороговой энергии образования дефектов в совершенном кристалле.