Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе гетероструктуры

Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, А. В. Рожков, В. С. Юферев


Аннотация: Изложены физические основы работы нового типа высоковольтных транзисторов — фотонно-инжекционных. Предложена теория работы прибора в стационарных режимах усиления. Показано, что в высоковольтных фотонно-инжекционных транзисторах в отличие от традиционных и при обратно смещенном коллекторном переходе имеет место эффект модуляции проводимости слабо легированного коллектора. При работе рассматриваемых транзисторов при повышенных плотностях токов коллектор не оказывает заметного влияния на коэффициент усиления по току. Основные результаты предложенной теории находятся в хорошем согласии с экспериментом.