Кинетика приведения кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в равновесие с парами ртути

В. В. Богобоящий, А. И. Елизаров, В. И. Иванов-Омский, В. Р. Петренко, В. А. Петряков


Аннотация: С помощью измерения коэффициента поглощения ИК излучения за краем собственного поглощения (${\lambda= 10.6}$ мкм) кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x=0.21\div0.25}$) изучена кинетика диффузионных процессов, приводящих к изменению отклонения химического состава кристаллов от стехиометрического. Наблюдаемая форма концентрационного профиля собственных дефектов свидетельствует о протекающих в процессе диффузии квазихимических реакциях взаимодействия между дефектами. Показано, что наблюдаемые диффузионные профили хорошо согласуются с теоретическими в случае диффузии быстрых междоузельных атомов ртути в среде со случайно распределенными «ловушками» — вакансиями ртути. Определена температурная зависимость коэффициента химической диффузии ртути в насыщенных парах ртути в диапазоне температур ${280\div420^{\circ}}$С.