RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страницы 697–702 (Mi phts1168)

Примесная оже-рекомбинация в кремнии

М. В. Стриха


Аннотация: Рассмотрена оже-рекомбинация электронов через глубокие и мелкие акцепторы в кремнии $p$-типа. Получены аналитические выражения для времени жизни электронов в случае произвольного вырождения носителей. Результаты теории применимы и к другим непрямозонным полупроводникам со структурой алмаза, в частности к германию.



© МИАН, 2026