Особенности спектров плотности поверхностных состояний структур Si$-$SiO$_{2}$, облученных ионами Ar$^{+}$ различной энергии

Е. А. Боброва, В. С. Вавилов, Ю. Д. Вулис, Г. Н. Галкин


Аннотация: Методом квазистатических вольтфарадных характеристик получены спектры плотности поверхностных состояний (ППС) на границе структур Si$-$SiO$_{2}$ с толщиной окисла ${\approx 120}$ нм, имплантированных ионами аргона дозой ${3\cdot10^{11}\,\text{см}^{-2}}$ с энергиями от 10 до 240 кэВ. Показано, что до отжига структур при энергиях иона ${\leqslant50}$ кэВ основной вклад в ППС вносят процессы, связанные с миграцией радиационных дефектов, образующихся в окисле, через SiO$_{2}$ к границе Si$-$SiO$_{2}$. После отжига при температуре $300^{\circ}$С в структурах, имплантированных ионами с энергией ${\geqslant120}$ кэВ, в спектрах ППС наблюдалась интенсивная полоса с энергетическим положением ${E_{c}-0.4}$ эВ, которая обусловлена образованием пространственно распределенных в приповерхностном слое кремния радиационных дефектов.