Аннигиляция позитронов в полупроводниковых кристаллах, содержащих ориентированные краевые дислокации

А. С. Балтенков, В. Б. Гилерсон


Аннотация: Теоретически рассматривается аннигиляция позитронов с электронами, связанными с ориентированными краевыми дислокациями полупроводников. В рамках модели, представляющей дислокацию в виде линейной цепочки потенциалов нулевого радиуса, найдены волновые функции связанных электронов и рассчитаны спектры угловой корреляции аннигиляционных фотонов в точечно-точечной геометрии опытов. Показано, что изменение положения осей дислокаций относительно детекторов гамма-квантов приводит к существенной перестройке формы спектра в малоугловой области. Обсуждаются возможности экспериментального наблюдения ориентационного эффекта.