О механизме фоточувствительности полупроводникового алмаза при комнатной температуре

О. И. Смирнова, Э. Э. Годик, А. Г. Гонтарь


Аннотация: Исследованы спектральные, частотные и температурные зависимости фотоотклика кристаллов полупроводникового синтетического алмаза, легированного бором. Обнаружено, что при комнатной температуре механизм фоточувствительности при низких частотах модуляции излучения определяется болометрическим эффектом, при более высоких частотах — фотопроводимостью. Показано, что исследование болометрического эффекта позволяет оценить величину Фотоэлектрического усиления.