RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страницы 636–641 (Mi phts1156)

Особенности поперечного эффекта Нернста–Эттингснаузена в условиях сильного резонансного рассеяния в РbТе$\langle$Tl$\rangle$

С. А. Немов, Ю. И. Равич, А. М. Зайцев


Аннотация: В РbТе$\langle$Tl$\rangle$, дополнительно легированном акцепторной (Na) или донорной (избыток Рb) примесью, исследован поперечный эффект Нернста–Эттингсгаузена (ПЭНЭ) в диапазоне температур 100$-$420 K. Обнаружен ряд особенностей в поведении ПЭНЭ в РbТе$\langle$Tl$\rangle$ по сравнению с PbTe$\langle$Na$\rangle$: малая величина нернстовской подвижности (${|Q/k_{\text{Б}}/e|\sim1{-}30\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$ при ${T=120}$ K), немонотонная зависимость коэффициента ПЭНЭ $Q$ от температуры и состава образцов. Немонотонной является также зависимость безразмерного параметра $Q/R\sigma k_{\text{Б}}/e$, характеризующего механизм рассеяния носителей заряда, от количества дополнительной примеси. Основные особенности ПЭНЭ в РbТе$\langle$Tl$\rangle$ качественно удается объяснить резонансным рассеянием дырок на примесях Tl. Показано, что наблюдаемые в РbТе$\langle$Tl$\rangle$ зависимости ПЭНЭ от состава образцов и температуры могут быть усложнены наличием неоднородностей распределения примесей, приводящих при однородной концентрации носителей к флуктуациям коэффициента заполнения дырками примесных состояний Tl и, как следствие, параметра рассеяния дырок.



© МИАН, 2026