RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страницы 632–635 (Mi phts1155)

ЭПР и парамагнитная релаксация межузельного центра Fe ($3d^{8}$) в GaP

В. Ф. Мастеров, Л. П. Пасечник, К. Ф. Штельмах


Аннотация: Приводятся результаты исследования ЭПР при давлении кристаллов GaP, легированных железом. Показано, что центр с параметрами ${g=2.131}$ и ${\Delta H=28}$ Э имеет спин ${S=1}$. Таким образом, он является центром внедрения с конфигурацией $3d^{8}$. Изучена спин-решеточная релаксация указанного центра. В области низких температур наблюдается эффект узкого фононного горла, т. е. зависимость ${r^{-1}_{1}\sim T^{2}}$. При температурах выше 10 K преобладающим является двухфононный рамановский процесс, при котором ${\tau^{-1}_{1}\sim T^{5}}$.



© МИАН, 2026