Влияние структурного совершенства слоев сульфида и селенида свинца на квантовый выход излучательной рекомбинации при комнатной температуре

С. И. Золотов, А. Н. Ковалев, В. И. Парамонов, А. Э. Юнович


Аннотация: Впервые исследована зависимость квантового выхода излучения в PbS и PbSe при комнатной температуре от степени совершенства монокристаллических слоев. Показана тесная связь между вероятностью безызлучательной рекомбинации и вероятностью рассеяния электронов при низких температурах на нарушениях идеальности кристаллической решетки.
Экстраполяция экспериментальных данных к условиям в совершенном кристалле показывает, что возможен близкий к единице внутренний квантовый выход излучения при 300 K в сульфиде и селениде свинца.